N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例

作者:leyu乐鱼体育官网入口发布时间:2021-11-17 00:59

本文摘要:一、N-MOS管和P-MOS管的对比二、N-MOS的电源条件N-MOS管的导通调节是G近于与S近于中间的电压劣多达阈值时,D近于和S极导通。在实际的用于中,将掌控信号收到G近于,S近于相接在GND,从而超过掌控N-MOS管的开和关的效果,在D近于和S极导通后,导通电阻Rds(on)大于,一般是几十毫欧级,电流流通后,构成的压降较小。

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一、N-MOS管和P-MOS管的对比二、N-MOS的电源条件N-MOS管的导通调节是G近于与S近于中间的电压劣多达阈值时,D近于和S极导通。在实际的用于中,将掌控信号收到G近于,S近于相接在GND,从而超过掌控N-MOS管的开和关的效果,在D近于和S极导通后,导通电阻Rds(on)大于,一般是几十毫欧级,电流流通后,构成的压降较小。三、N-MOS的应用于3.1避免电源接反的维护电路下面就是一个应用于这个特性做到的一个避免电源接反的维护电路,这样应用于要比用于二极管好很多,如果必要用于二极管,不会有大约0.7V的压降。建模电路如下:N-MOS管作为避免电路反接方案中,VCC=5V的电源加于10K阻性阻抗上,电压表、电流表分别测量,记录值是5V、500uA;转换Key电源,仿真电源反接时,测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。

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3.2电平切换电路Sig1,Sig2为两个信号末端,VDD和VCC分别是3.3V和5.0V电平信号的高电压。另外容许条件为:1,VDD<=VCC2,Sig1的低电平门限小于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而以定).3,Vgs<=VDD4,Vds<=VCC以下图片是在Multisim中建模效果,利用电源获取信号。


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